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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种高效散热氧化镓LDMOSFET器件及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该器件包括金刚石绝缘层、p型轻掺杂氧化镓漂移区、N+源区、N‑沟道区、源极金属层、高K栅极绝缘层、栅极金属以及漏极金属层。该高效散热氧化镓LDMOSFET器件及其制备方法，通过采用半绝缘或高纯净金刚石，具备很高的热导率，可以增强器件散热能力，同时漏电能抑制衬底漏电，提高器件高温特性；N‑沟道区的上方覆盖半绝缘或高纯净金刚石绝缘层，可以将器件沟道中的热很快传导出去；采用高K介质二氧化铪，能增加栅极绝缘介质的厚度，减少栅极漏电，同时提高栅极的耐压能力，提高器件的可靠性。
主权项：1.一种高效散热氧化镓LDMOSFET器件，其特征在于，包括金刚石绝缘层，所述金刚石绝缘层作为衬底位于该器件的最底端，所述金刚石绝缘层的上方设置有p型轻掺杂氧化镓漂移区，所述p型轻掺杂氧化镓漂移区的顶部呈凸型设计，所述p型轻掺杂氧化镓漂移区顶部的外侧设置有N+源区，所述N+源区的内侧设置有位于p型轻掺杂氧化镓漂移区顶部一侧的N-沟道区；在所述N+源区上方的对应位置分别设置有源极金属层和漏极金属层，在所述p型轻掺杂氧化镓漂移区顶部上方的对应位置设置有高K栅极绝缘层，所述高K栅极绝缘层的上方设置有栅极金属，在所述N-沟道区上方的对应位置设置有金刚石绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种高效散热氧化镓LDMOSFET器件及其制备方法
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