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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
摘要：本发明提供了一种LDMOSFET器件及其制作方法。该器件包括衬底，衬底的一侧具有外延层，外延层具有远离衬底的第一表面；源漏区，形成于外延层中；体区，形成于外延层中靠近第一表面的一侧，体区与源漏区的源区接触；漂移区，形成于外延层中并与体区接触，漂移区与源漏区的漏区接触；埋入阱，形成在外延层中并分别与体区和漂移区接触，埋入阱与衬底连接，且埋入阱与体区的掺杂类型相同并与漂移区的掺杂类型相反。通过加入埋入阱，将碰撞电离产生的空穴电流引入埋入阱中，并通过埋入阱离开，从而减少了空穴电流通过体区的流通量，有效防止了器件的二次击穿，从而提高了器件的可靠性。
主权项：1.一种LDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的一侧具有外延层，所述外延层具有远离所述衬底的第一表面；源漏区，形成于所述外延层中；体区，形成于所述外延层中靠近所述第一表面的一侧，所述体区与所述源漏区的源区接触；漂移区，形成于所述外延层中并与所述体区接触，所述漂移区与所述源漏区的漏区接触；埋入阱，形成在所述外延层中并分别与所述体区和所述漂移区接触，所述埋入阱与所述衬底连接，且所述埋入阱与所述体区的掺杂类型相同并与所述漂移区的掺杂类型相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 LDMOSFET器件及其制作方法
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