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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括：半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，氧化层、漂移区以及体区构成场板结构。氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层，第一氧化层与体区相接，作为纵向栅与体区之间的栅氧化层；第二氧化层与阱区相接，作为纵向栅与阱区之间的场板隔离介质层；第三氧化层与漂移区相接，作为纵向栅与漂移区之间的场板隔离介质层。本发明通过纵向栅氧结构提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片面积。
主权项：1.一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件，包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，其特征在于，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，所述纵向栅氧结构的底部与阱区相接；所述纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，所述包覆于纵向栅的氧化层、所述漂移区以及所述体区构成场板结构；所述包覆于纵向栅的氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层；所述第一氧化层与所述体区相接，作为所述纵向栅与所述体区之间的栅氧化层；所述第二氧化层与所述阱区相接，作为所述纵向栅与所述阱区之间的场板隔离介质层；所述第三氧化层与所述漂移区相接，作为所述纵向栅与所述漂移区之间的场板隔离介质层；所述第三氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度；所述源区设置于所述体区表面，所述漏区设置于所述漂移区表面。
全文数据：
权利要求：
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