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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
摘要：一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括有源层、第一栅极绝缘和第一栅极；有源层包括沟道区和被沟道区隔开的第一导体化区和第二导体化区；第一栅极绝缘层位于有源层的第一侧；第一栅极，位于第一栅极绝缘层远离有源层的一侧；第一导体化区的至少部分、沟道区的至少部分和第二导体化区的至少部分沿第一方向排列，沟道区包括缩窄部，缩窄部在第一方向上的平均尺寸小于沟道区在第一方向上的平均尺寸。由此，通过设计包括缩窄部的异形沟道区，使得沟道区的不同区域的沟道长度不同，可增大薄膜晶体管的亚阈值摆幅，使得驱动晶体管提供的驱动电流对栅极电压的波动不敏感。
主权项：1.一种薄膜晶体管，包括：有源层，包括沟道区和被所述沟道区隔开的第一导体化区和第二导体化区；第一栅极绝缘层，位于所述有源层的第一侧；以及第一栅极，位于所述第一栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，其中，所述第一导体化区的至少部分、所述沟道区的至少部分和所述第二导体化区的至少部分沿第一方向排列，所述沟道区包括缩窄部，所述缩窄部在所述第一方向上的平均尺寸小于所述沟道区在所述第一方向上的平均尺寸。
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权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 成都京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
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