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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：形成互补场效应晶体管CFET器件的方法包括：形成垂直堆叠在鳍上方的多个沟道区域；在多个沟道区域的第一子集和多个沟道区域的第二子集之间形成隔离结构；在多个沟道区域和隔离结构周围形成栅极介电材料；在栅极介电材料周围形成功函材料；在功函材料周围形成含硅钝化层；在形成含硅钝化层之后，去除含硅钝化层的设置在多个沟道区域的第一子集周围的第一部分，并且保留含硅钝化层的设置在多个沟道区域的第二子集周围的第二部分；以及在去除含硅钝化层的第一部分之后，在多个沟道区域周围形成栅极填充材料。本申请的实施例还涉及互补场效应晶体管器件。
主权项：1.一种形成互补场效应晶体管CFET器件的方法，所述方法包括：形成垂直堆叠在鳍上方的多个沟道区域；在所述多个沟道区域的第一子集和所述多个沟道区域的第二子集之间形成隔离结构；在所述多个沟道区域和所述隔离结构周围形成栅极介电材料；在所述栅极介电材料周围形成功函材料；在所述功函材料周围形成含硅钝化层；在形成所述含硅钝化层之后，去除所述含硅钝化层的设置在所述多个沟道区域的所述第一子集周围的第一部分，并且保留所述含硅钝化层的设置在所述多个沟道区域的所述第二子集周围的第二部分；以及在去除所述含硅钝化层的所述第一部分之后，在所述多个沟道区域周围形成栅极填充材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 互补场效应晶体管器件及其形成方法
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