龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：陕西科技大学
摘要：本发明公开了一种MoS2莫尔超晶格电催化剂及其制备方法和应用，该制备方法包括：在单温区管式炉中通过化学气相沉积法在SiO2Si衬底表面制备MoS2；利用PVA转移法将MoS2转移到另一片生长有MoS2的SiO2Si衬底上，从而制备MoS2莫尔超晶格；本发明采用化学气相沉积法和转移法制备莫尔超晶格电催化剂，该方法制备工艺简单，操作简便，可以控制异质结层间转角，有利于大规模生产和推广，制备的双层结构的旋转错位或晶格错位得到纳米尺度的MoS2莫尔超晶格，显著增加活性位点的数量，降低层间势垒、降低氢吸附吉布斯自由能，从而提高电催化剂的电化学活性，在电催化析氢等领域具有良好的应用前景。
主权项：1.一种MoS2莫尔超晶格电催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、用移液枪吸取2-3μl浓度为2.5-10mgml的NH4MoO4溶液和1μl浓度为5mgml的NaCl溶液至底片，置于烘箱中烘干，然后将底片置于石英舟中，然后将顶片倒扣在该舟上方，将该石英舟置于管式炉中心位置；底片和顶片为SiO2Si衬底；取过量硫粉堆放在石英瓦片中，置于管式炉上游，将SiO2Si衬底置于管式炉下游，以氩气为载气，通过化学气相沉积法在SiO2Si衬底表面制备MoS2，以升温速率为30-50℃min，使管式炉温度至700℃-900℃，持续通气保温5-20min，完成后自然冷却到室温取出样品；平行制备两组分别生长在SiO2Si衬底上的MoS2；步骤二、利用PVA转移法将步骤一制备的生长在其中一片SiO2Si衬底上的MoS2转移到另一片长有MoS2的SiO2Si衬底上，在300℃下退火0.5-1h，得到MoS2莫尔超晶格。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西科技大学 一种MoS2莫尔超晶格电催化剂及其制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号