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申请/专利权人：重庆大学
摘要：本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括阳极接触区1、重掺杂第二导电类型阳极区2、第一导电类型阳极缓冲区3、第一导电类型漂移区4、第二导电类型阴极阱区5、重掺杂第一导电类型阴极区6、重掺杂第二导电类型阴极区7、阴极接触区8、栅极介质层9、栅极接触区10、阳极辅助栅介质层13、阳极辅助栅接触区14和阳极肖特基接触区15；本发明可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；实现器件的逆向导通能力。
主权项：1.一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括阳极接触区1、重掺杂第二导电类型阳极区2、第一导电类型阳极缓冲区3、第一导电类型漂移区4、第二导电类型阴极阱区5、重掺杂第一导电类型阴极区6、重掺杂第二导电类型阴极区7、阴极接触区8、栅极介质层9、栅极接触区10、阳极辅助栅介质层13、阳极辅助栅接触区14和阳极肖特基接触区15；所述第一导电类型漂移区4覆盖于第一导电类型阳极缓冲区3之上；所述第二导电类型阴极阱区5覆盖于第一导电类型漂移区4之上；所述第二导电类型阴极阱区5覆盖于第一导电类型漂移区4之上的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阴极区6和重掺杂第二导电类型阴极区7覆盖于第二导电类型阴极阱区5之上的部分表面；所述阴极接触区8覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区7之上；所述栅极介质层9覆盖于第二导电类型阴极阱区5之上的部分表面；所述栅极接触区10覆盖于栅极介质层9之上；所述重掺杂第二导电类型阳极区2覆盖于第一导电类型阳极缓冲区3之下的部分表面；所述阳极辅助栅介质层13覆盖于第一导电类型阳极缓冲区3之下的部分表面；所述阳极辅助栅接触区14覆盖于阳极辅助栅介质层13之下；所述阳极接触区1覆盖于第二导电类型阳极区2之下；所述阳极肖特基接触区15覆盖于阳极辅助栅接触区14之下；所述阳极接触区1和阳极肖特基接触区15共同引出阳极电极；所述阳极接触区1和阳极肖特基接触区15并列间隔排布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管
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