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申请/专利权人:广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学
摘要:本发明提供了一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层,量子级联激光器包括InP衬底,以及在InP衬底上制备的有源层,有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层,以及制备在第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层;势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层;第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层为GaInAs深势阱层,六个复合阶梯阱层为复合阶梯阱层。本发明的能带结构具有宽而平坦且具有高增益的增益谱,可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。
主权项:1.一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层,其特征在于,所述量子级联激光器包括InP衬底,以及在所述InP衬底上制备的所述有源层,其中,所述有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层,以及制备在所述第一GaInAs深势阱层和所述第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层;其中,所述势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层;六个所述复合阶梯阱层具有两种不同复合比;所述第一GaInAs深势阱层包括第二Al0.63In0.37As层和第一Ga0.35In0.65As层;所述复合阶梯阱层包括,第一复合阶梯阱层、第二复合阶梯阱层、第三复合阶梯阱层、第四复合阶梯阱层、第五复合阶梯阱层、第六复合阶梯阱层;所述第一复合阶梯阱层包括第三Al0.63In0.37As层、第一Ga0.47In0.53As层和第二Ga0.35In0.65As层;所述第二复合阶梯阱层包括第四Al0.63In0.37As层、第二Ga0.47In0.53As层和第三Ga0.35In0.65As层;所述第三复合阶梯阱层包括第五Al0.63In0.37As层、第三Ga0.47In0.53As层和第四Ga0.35In0.65As层;所述第四复合阶梯阱层包括第六Al0.63In0.37As层、第四Ga0.47In0.53As层和第五Ga0.35In0.65As层;所述第五复合阶梯阱层包括第七Al0.63In0.37As层、第五Ga0.47In0.53As层和第六Ga0.35In0.65As层;所述第六复合阶梯阱层包括第八Al0.63In0.37As层、第六Ga0.47In0.53As层和第七Ga0.35In0.65As层;所述第二GaInAs深势阱层包括第九Al0.63In0.37As层和第八Ga0.35In0.65As层。
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