龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本公开提供了一种浮栅型闪存存储器及其制备方法、半导体器件，其中浮栅型闪存存储器包括依次层叠的衬底层、隧穿氧化层、浮置栅极、阻挡介质层以及控制栅极，其中阻挡介质层的制备材料为高介电系数电介质材料，且阻挡介质层为一体成型结构。本公开提供的技术方案采用高介电系数的电介质材料形成一体成型的阻挡介质层，由于具有更强的介电能力，能够满足存储器所需的数据保持能力，并能够提升控制栅极对浮置栅极的耦合效率以及编辑擦除效率，同时仅需要一次沉积操作即可获得完整的阻挡介质层结构，简化了工艺步骤、提高了工艺效率，具有可推广价值。
主权项：1.一种浮栅型闪存存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤；提供一衬底层；于所述衬底层的表面生成一隧穿氧化层；于所述隧穿氧化层的表面沉积一多晶硅层以作为浮置栅极；于所述浮置栅极的表面生成一阻挡介质层，所述阻挡介质层的制备材料为高介电系数电介质材料，且所述阻挡介质层为一体成型结构；于所述阻挡介质层的表面沉积一多晶硅层以作为控制栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 浮栅型闪存存储器及其制备方法、半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号