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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种集成TVS的耐高压冲击的平面栅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面淀积生长形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀通孔，离子注入，在漂移层内形成TVS结构区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，离子注入，形成阱区以及凸起部、P型源区以及N型源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，金属淀积，形成源极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀、淀积，形成栅介质层；金属淀积，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备，对漏极高压情况电流的泄放，从而保护器件栅极，使其不被漏极高电压冲击，破坏器件结构。
主权项：1.一种集成TVS的耐高压冲击的平面栅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面淀积生长形成漂移层；步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀通孔，对漂移层进行离子注入，在漂移层内形成TVS结构区；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成阱区以及凸起部；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔进行金属淀积，形成源极金属层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔淀积，形成栅介质层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔进行金属淀积，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备。
全文数据：
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