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申请/专利权人：重庆大学
摘要：本发明公开一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器，包括阳极金属层1、重掺杂第二导电类型多晶硅层2、栅氧化层3、重掺杂第二导电类型阳极区域4、轻掺杂第一导电类型漂移区5、重掺杂第一导电类型衬底层6；本发明在肖特基接触超势垒整流器SSBR基础上进行改进，改善了器件的正向特性，相较于SSBR整流器，本发明的正向阈值电压更低。
主权项：1.一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器，其特征在于：包括阳极金属层（1）、重掺杂第二导电类型多晶硅层（2）、栅氧化层（3）、重掺杂第二导电类型阳极区域（4）、轻掺杂第一导电类型漂移区（5）、重掺杂第一导电类型衬底层（6）；所述阳极金属层（1）位于重掺杂第二导电类型多晶硅层（2）之上；所述重掺杂第二导电类型多晶硅层（2）位于栅氧化层（3）之上；所述栅氧化层（3）位于重掺杂第二导电类型阳极区域（4）之上；所述重掺杂第二导电类型阳极区域（4）位于轻掺杂第一导电类型漂移区（5）之上；所述轻掺杂第一导电类型漂移区（5）位于重掺杂第一导电类型衬底层（6）之上；所述阳极金属层（1）一部分位于重掺杂第二导电类型多晶硅层（2）之上、一部分位于重掺杂第二导电类型阳极区域（4）之上、一部分位于轻掺杂第一导电类型漂移区（5）之上；所述阳极金属层（1）分别与所述重掺杂第二导电类型阳极区域（4）和轻掺杂第一导电类型漂移区（5）接触，并在接触处形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器
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