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申请/专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院;华润微电子(重庆)有限公司
摘要：本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降低比导通电阻、屏蔽栅结构降低栅漏电荷的同时，器件内部集成肖特基结构，肖特基二极管替代原有的寄生PN结二极管进行续流，大幅降低了反向恢复所需抽取的少子电荷，加快了反向恢复的速度、改善了反向过冲，器件的反向恢复特性得到优化。
主权项：1.一种集成肖特基二极管的超结SGT器件，其特征在于：包括N型衬底1、N型外延层2、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区6、体区7、源区8、欧姆接触区9、肖特基接触金属10、隔离氧化层11、欧姆接触金属12、表面氧化层13和底层金属14；其中，所述N型外延层2位于N型衬底1的上表面；所述屏蔽栅沟槽位于N型外延层2的右上表面；所述屏蔽栅沟槽填充绝缘介质3，屏蔽栅沟槽内部有屏蔽栅多晶硅5和控制栅多晶硅4；所述控制栅多晶硅4位于所述屏蔽栅多晶硅5的上方，二者通过绝缘介质3相互隔离；所述体区7与屏蔽栅沟槽左侧相邻；所述P型掺杂区6位于体区7的左下方；所述源区8位于体区7的上表面；所述欧姆接触区9位于体区7的左上表面；欧姆接触区9的上边界低于源区8的上边界；所述欧姆接触金属12位于欧姆接触区9的上表面；所述肖特基接触金属10位于N型外延层2的左上表面；所述欧姆接触金属12和肖特基金属10通过隔离介质层11相隔离；所述表面氧化层13位于体区8和屏蔽栅沟槽的上表面；所述表面氧化层13和隔离氧化层11通过欧姆接触金属12相隔离；所述底层金属14位于器件的下表面。
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