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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种厚绝缘层pin结终端氧化镓肖特基势垒二极管及制备方法，解决了目前pin结终端氧化镓肖特基势垒二极管离子注入形成的绝缘区较浅的问题。本发明自下而上包括：阴极、n‑Ga2O3衬底、圆台结构的n‑Ga2O3外延层、外延层内的上部设有i‑Ga2O3、i‑Ga2O3的上表面设有p‑NiO、阳极设置于外延层圆台上表面并覆盖p‑NiO的部分上表面；在外延层台阶处进行离子注入形成与台阶厚度一样的i‑Ga2O3，将p‑NiO与n‑Ga2O3隔开，实现厚绝缘层pin结终端。制备方法有：清洗外延片、台面刻蚀、离子注入、制备阴极、淀积p‑NiO、制备阳极。本发明仅在离子注入前增加台面刻蚀就实现了厚绝缘层pin结，整体实现高耐压、低漏电的氧化镓肖特基势垒二极管,可用于如电网、高铁等大功率、高压领域。
主权项：1.一种厚绝缘层pin结终端氧化镓肖特基势垒二极管，自下而上包括：阴极电极、n-Ga2O3衬底、n-Ga2O3外延层、在n-Ga2O3外延层内的上部部分设有圆环状的离子注入形成的i-Ga2O3绝缘层、该i-Ga2O3绝缘层的上表面设有圆环状的p-NiO薄膜层、阳极电极设置于n-Ga2O3外延层的上表面，填满圆环状的p-NiO薄膜层中间的圆形空隙并且覆盖p-NiO薄膜层的部分上表面区域，其特征在于：所述n-Ga2O3外延层为中间凸起的圆台结构，圆环状的离子注入形成的i-Ga2O3绝缘层位于圆台结构的n-Ga2O3外延层的台阶处，台阶自身的坡度使得凸起部分的离子注入深度与台阶高度一样，形成厚度与台阶高度一样的i-Ga2O3绝缘层，阳极电极设置于n-Ga2O3外延层凸起部分的上表面，p-NiO薄膜层与n-Ga2O3外延层被i-Ga2O3绝缘层隔开，i-Ga2O3绝缘层凸起部分的上表面面积略大于p-NiO薄膜层面积，形成具有厚绝缘层的pin结终端，整体实现高耐压、低泄漏电流的氧化镓肖特基势垒二极管。
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权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学 厚绝缘层pin结终端氧化镓肖特基势垒二极管及制备方法
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