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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明公开了一种具有背势垒块的场效应晶体管，涉及半导体技术，针对现有技术中背势垒只适用于限定材料体系的问题而提出本方案。衬底通过离子注入的方式在栅极下方形成背势垒块，所述背势垒块用于耗尽半导体层在对应位置的沟道载流子。其优点在于，背势垒块存在于衬底中，不需要引入额外的外延结构和刻蚀步骤；仅在栅极下方的衬底区域具有P型掺杂形成局部区域的背势垒，能够在对沟道中的高浓度载流子起有效耗尽作用的同时保持接入区的高掺杂浓度，即在抑制短沟道效应的同时不增大源漏接入区的串联电阻，改善器件的直流和射频特性。此外，通过改变背势垒块的深度、宽度和掺杂浓度可以调节器件的阈值电压实现增强型器件。
主权项：1.一种具有背势垒块的场效应晶体管，包括层叠设置的半导体层12和衬底10，所述半导体层12作为n型沟道；在半导体层12上表面分别设置源极13和漏极14，源极13和漏极14分别与半导体层12表面电性连接，在半导体层12上方设置栅极15，所述栅极15与半导体层12之间通过介质层16隔离；其特征在于，所述衬底10通过离子注入的方式在栅极15下方形成背势垒块11，所述背势垒块11用于耗尽半导体层12在对应位置的沟道载流子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种具有背势垒块的场效应晶体管
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