龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
摘要：本发明公开了一种模拟铁电电容印迹效应的等效电路及模拟方法，属于集成电路设计技术领域；包括：正端点和负端点、并联在正端点与负端点之间的非线性电容、线性电容、延迟元件和追踪电容；考虑到对于实际包含印迹效应的铁电电容，其电滞回线的上、下半支的形状是不完全对称的，本发明对非线性电容进行了设计，根据线性电容上的电流方向的不同，构建了两种不同的非线性电容表达式，通过配合线性电容的电流流向对等效电路进行了控制，能够准确表现出铁电电容电滞回线中的正、负矫顽电场的偏移，实现了铁电电容印迹效应的准确模拟。
主权项：1.一种模拟铁电电容印迹效应的等效电路，其特征在于，包括：正端点和负端点、并联在所述正端点与所述负端点之间的非线性电容、线性电容、延迟元件和追踪电容；当所述正端点与所述负端点之间接入电压信号时，所述延迟元件对所述电压信号延迟预设时间后施加在所述追踪电容上；所述电压信号为周期信号，其电压值的变化包括逐步增大阶段和逐步减小阶段；当所述线性电容上的电流方向为从正端点流向负端点时，所述非线性电容的电容值当所述线性电容上的电流方向为从负端点流向正端点时，所述非线性电容的电容值其中， a1、d1均为实际采集的铁电电容电滞回线的下半支曲线的拟合参数；a2、d2均为实际采集的铁电电容电滞回线的上半支曲线的拟合参数；d1和d2均不为0；V为所述电压信号的电压值；Vm为所述电压信号的最大幅值；Qm1和Qm2为将电压值Vm分别代入铁电电容电滞回线的下半支和上半支曲线的拟合表达式中所得的极化强度对应的电荷量；QtraceV为在所述电压信号的电压值V下所述追踪电容两端累计的电荷量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 湖北江城实验室 一种模拟铁电电容印迹效应的等效电路及模拟方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号