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一种D3G分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:上海市农业科学院

摘要:本发明提供了一种隐蔽型真菌毒素脱氧雪腐镰刀菌烯醇‑3‑葡萄糖苷Deoxynivalenol‑3‑Glucoside,D3G分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用。本发明提供的D3G分子印迹电化学传感器,以D3G为模板分子,邻苯二胺为功能单体,Mn‑CeO2为基底材料,以H2O2为信号指示剂,通过电化学聚合的方法在Mn‑CeO2修饰的电极表面制备分子印迹聚合薄膜,构建分子印迹电化学传感器,实现对D3G的快速、灵敏、特异性检测。

主权项:1.一种D3G分子印迹电化学传感器的制备方法,具体包括如下步骤:1首先将玻碳电极GCE用氧化铝粉抛光;接着将Mn-CeO2与水的混合液滴涂在GCE表面,晾干后取0.1%壳聚糖水溶液滴涂在Mn-CeO2表面,晾干后得到Mn-CeO2GCE;其中Mn-CeO2与水的混合液是将Mn-CeO2材料分散于水中,料液比为0.5-2mg:1ml,超声1h,得到Mn-CeO2与水的混合液;2采用PBS溶液配制功能单体邻苯二胺和模板分子D3G的聚合液,其中功能单体和模板分子最终浓度分别为1mmolL和0.1mmolL;通氮气10min后在-0.4~1.0V范围内采用循环伏安法CV在Mn-CeO2GCE表面制备分子印迹聚合膜;在0.5M盐酸甲醇溶液中搅拌去除模板分子D3G,得到所需的D3G分子印迹电化学传感器MIPMn-CeO2GCE。

全文数据:

权利要求:

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