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申请/专利权人：广州华瑞升阳投资有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别地，涉及一种常关型场效应晶体管。该场效应晶体管中，通过将源电极的第一部分的宽度和或金属材料设置有两种或两种以上，通过不同元胞中的源电极的第一部分的宽度和或金属材料的差异化设计，实现不同元胞之间的错峰开启或关断，能够降低器件在开启或关断时的米勒电容CGD的突变速度，从而降低由于米勒电容CGD突变引起的栅极电压振荡。
主权项：1.一种常关型场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电型的半导体层，其具有一侧的第一主面以及与之相对的另一侧的第二主面；电极，其包括漏电极、源电极以及槽栅电极；所述源电极以及所述槽栅电极位于所述第一导电型的半导体层的第一主面所在一侧，所述漏电极位于所述第一导电型的半导体层的第二主面所在一侧；所述第一导电型的半导体层内设置有所述源电极的第一部分、第一导电型的源区、栅绝缘膜和槽栅电极，所述栅绝缘膜包围着所述槽栅电极，所述第一导电型的源区位于所述源电极的第一部分与所述栅绝缘膜之间且所述第一导电型的源区的侧壁分别与所述源电极的第一部分和所述栅绝缘膜接触，所述源电极的第一部分、所述第一导电型的源区、所述槽栅电极位于所述第一导电型的半导体层的第一主面所在一侧，所述源电极的第一部分的深度比所述第一导电型的源区的深度更深，所述源电极的第一部分与所述第一导电型的半导体层之间形成肖特基接触；绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述栅绝缘膜和所述槽栅电极以及所述第一导电型的源区之上；所述源电极的第二部分，其与所述绝缘介质层、所述第一导电型的源区、所述源电极的第一部分接触且所述源电极的第二部分与所述第一导电型的源区和所述源电极的第一部分均形成欧姆接触；所述槽栅电极具有多个且每个所述槽栅电极的宽度相等，且相邻的两个所述槽栅电极之间的间距相等；所述源电极的第一部分具有多个，且设置有两种或两种以上的不同宽度，和或，设置有两种或两种以上的不同金属材料，使得不同宽度和或不同金属材料的第一部分附近的第一导电型的半导体层中的电子载流子浓度不同。
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百度查询： 广州华瑞升阳投资有限公司 常关型场效应晶体管
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