龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136670A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.04#公开
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件。包括漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。相比于现有肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管，在抗单粒子烧毁性能不恶化的条件下，本发明具有低的第三象限二极管开启电压，改善了反向恢复性能。
主权项：1.一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件，其特征在于，包括漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间，所述第二导电类型阳极区域上设置有重掺杂第二导电类型阳极接触区域，所述第二导电类型栅极体区域上设置有重掺杂第二导电类型栅极接触区域，所述第一导电类型传导区域上设置有氧化层，所述氧化层上设置有重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅层和重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅层，所述重掺杂第二导电类型阳极接触区域和重掺杂第二导电类型栅极接触区域上分别设置有源极金属欧姆接触区域，所述重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅层上设置有虚拟栅极金属接触区域，所述源极金属肖特基接触区域与第二导电类型阳极区域之间、源极金属肖特基接触区域与第二导电类型栅极体区域之间分别形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学 一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号