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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231249A
主分类号：H01L21/329
分类号：H01L21/329;H01L29/872
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种集成肖特基的SGT器件的制作方法，包括用现有工艺在衬底中形成沟槽、屏蔽电极隔离介质层、屏蔽电极、屏蔽电极和栅极之间的隔离介质层、栅极氧化层，以及生长栅极多晶硅并刻蚀到衬底表面；光刻定义出肖特基区域，对肖特基区域以外的衬底进行离子注入形成体区和源区；淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；利用光刻后CD减小的光刻工艺和完全的干法刻蚀工艺对肖特基区域的层间介质层和栅极氧化层进行刻蚀，使衬底表面露出；采用金属溅射的方法形成金属阻挡层；淀积金属钨将接触孔填满形成钨塞，并回刻将衬底表面的钨去除；形成金属层。本发明改进了肖特基工艺，通过减小光刻CD并改进干法刻蚀工艺，改善了器件形貌，显著提升了器件IDSS稳定性。
主权项：1.一种集成肖特基的SGT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、用现有工艺在衬底中形成沟槽、屏蔽电极隔离介质层、屏蔽电极、屏蔽电极和栅极之间的隔离介质层、栅极氧化层，以及生长栅极多晶硅并刻蚀到所述衬底表面；步骤二、光刻定义出肖特基区域，对所述肖特基区域以外的所述衬底进行离子注入形成体区和源区；步骤三、淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；步骤四、利用光刻后CD减小的光刻工艺和完全的干法刻蚀工艺对所述肖特基区域的所述层间介质层和所述栅极氧化层进行刻蚀，形成肖特基沟槽；步骤五、采用金属溅射的方法形成一层金属阻挡层；步骤六、淀积金属钨将所述接触孔填满形成钨塞，并回刻将所述衬底表面的钨去除；步骤七、形成金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种集成肖特基的SGT器件的制作方法
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