申请/专利权人：乐山无线电股份有限公司

申请日：2024-02-07

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN118156138A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开

摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，特别是一种提升雪崩耐量的SGT器件制备方法及SGT器件。本发明所述的制备方法在屏蔽栅Poly及其侧边的厚氧化层回刻完成之后，添加了Si刻蚀，接着再调整角度进行与体区同导电类型杂质的离子倾斜注入工艺，后续步骤则与常规的SGT器件相同，进行正常的栅极氧化层生长和栅极Poly生长等工艺。本发明的SGT器件制备方法在不造成工艺难度和成本增大的同时，能够在沟槽侧壁增加额外的注入区域，在器件耐压时，能够在原有电场中部引入新的额外注入区外延层电场峰值，抬高中部电场，优化电场下凹严重的问题，增强横向电场对纵向电场的调整作用，从而大大提升器件的耐压能力，达到期望的高雪崩耐量要求。

主权项：1.一种提升雪崩耐量的SGT器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：选择具有第二导电类型的重掺杂单晶材料衬底片，并在所述衬底片上生长单晶材料外延层；步骤2：在所述外延层上方进行掩膜材料淀积、光刻胶曝光和沟槽刻蚀操作，形成有源区和终端区的若干沟槽，再进行氧化层生长和多晶材料淀积操作；步骤3：刻蚀去除有源区的沟槽内外的多余部分的多晶材料；步骤4：刻蚀去除多余的氧化层材料，形成回刻后的屏蔽栅多晶和厚氧化层结构；步骤5：保留所述外延层上方的顶部掩膜材料，进行单晶材料的刻蚀，拓宽屏蔽栅区域上方的沟槽宽度；步骤6：调整注入角度，倾斜注入与体区同导电类型杂质的离子，形成沟槽侧壁的额外掺杂区；步骤7：进行热氧化生长和淀积氧化层；步骤8：进行氧化层的刻蚀，形成屏蔽栅和控制栅之间的隔离氧化层；步骤9：进行沟槽侧壁的牺牲氧化层生长和刻蚀，消除沟槽侧壁应力，再进行栅氧化层的生长；步骤10：进行控制栅多晶材料的淀积，回刻多晶材料，形成栅极结构；步骤11：采用掩膜版遮挡或自对准工工艺进行体区和源区的离子注入和推结，形成中等掺杂体区和重掺杂源区；步骤12：进行芯片表面的氧化和钝化；步骤13：光刻接触孔，对其进行欧姆掺杂和退火，以形成重掺杂的体区欧姆接触区；步骤14：进行金属化，在表面氧化层上淀积金属层，进行光刻形成顶层金属，包括源极PAD金属和栅极PAD金属；对背部进行衬底减薄和背部金属淀积，形成漏极金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 乐山无线电股份有限公司 一种提升雪崩耐量的SGT器件制备方法及SGT器件

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