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申请/专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日：2023-12-28
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN118116807A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.31#公开
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件，包括：刻蚀掩膜氧化层，在有源区的沟槽区域保留预设厚度的掩膜氧化层；沉积氮化硅层并进行相应刻蚀，以在有源区的非沟槽区域形成氮化硅隔垫物结构；利用氮化硅隔垫物结构对硅片进行相应刻蚀，形成沟槽结构；在沟槽结构内生长侧壁场氧化层和沉积第一多晶硅，并对第一多晶硅进行刻蚀；调整侧壁场氧化层厚度和沉积第二多晶硅，并对第二多晶硅进行刻蚀，直至刻蚀至硅片表面；沉积层间介质层，形成接触孔结构，以制备出上下结构SGT器件。这样的工艺制程相对简单，可以提升接触孔自对准的精确度，缩小沟槽线宽，优化器件可靠性，减少制程成本。
主权项：1.一种上下结构SGT器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成硅片，并在硅片上沉积一层掩膜氧化层；刻蚀掩膜氧化层，在有源区的沟槽区域保留预设厚度的掩膜氧化层；沉积氮化硅层，并对所述氮化硅层和掩膜氧化层进行相应刻蚀，以在有源区的非沟槽区域形成氮化硅隔垫物结构；利用所述氮化硅隔垫物结构对所述硅片进行相应刻蚀，在有源区的沟槽区域形成沟槽结构；在所述沟槽结构内生长侧壁场氧化层和沉积第一多晶硅，并对第一多晶硅进行刻蚀，直至刻蚀至掩膜氧化层表面；对除待形成根状源极的第一多晶硅之外的其他第一多晶硅进行部分刻蚀；调整所述侧壁场氧化层厚度和沉积第二多晶硅，并对第二多晶硅进行刻蚀，直至刻蚀至所述硅片表面；沉积层间介质层，形成接触孔结构，以制备出上下结构SGT器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海鼎泰匠芯科技有限公司 上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件
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