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申请/专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日：2024-05-15
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173449A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明公开了一种ONO结构的SGTMOSFET器件及其制备方法，制备方法如下：以N型晶向为衬底，生长外延片；通过光刻、刻蚀沟槽；在沟槽侧壁生长一层氧化层；在外延层和沟槽表面淀积一层氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上，形成氧化层；在沟槽内，淀积、刻蚀屏蔽栅多晶硅；将氧化层刻蚀至距离屏蔽栅多晶硅上平面以下2～4um；在沟槽中生长氧化层；去除氮化硅，形成IPO层；在IPO层和侧壁栅氧化层之间的缝隙处，淀积一层TEOS；将侧壁的TEOS腐蚀干净；在沟槽、氧化层之上，进行多晶淀积、光刻、刻蚀；形成N+区和P阱；形成欧姆接触孔；沉淀金属层。制备方法得到的器件能提高外延掺杂浓度，降低器件Rsp水平，减小导通损耗。
主权项：1.一种ONO结构的SGTMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：S1，以N型晶向为衬底，生长外延片；S2，通过光刻、刻蚀沟槽；S3，在沟槽侧壁生长一层厚度为500～1000埃的氧化层，生长温度为950℃～1050℃，根据Vth调整氧化层厚度；S4，在外延层和沟槽表面淀积一层氮化硅薄膜，厚度为200～500埃；S5，在氮化硅薄膜上，通过干-湿-干法的氧化和CVD方法形成为1000～5000埃的氧化层；S6，在沟槽内，淀积、刻蚀屏蔽栅多晶硅；S7，通过湿法刻蚀，将场氧化层刻蚀至距离屏蔽栅多晶硅上平面以下2～4μm；S8，在沟槽中生长2500～4000埃的氧化层，作为屏蔽栅极和控制栅极之前的隔离层；S9，通过湿法刻蚀去除氮化硅，形成IPO层；S10，在IPO层和侧壁栅氧化层之间的缝隙处，淀积一层四乙基正硅酸酯；S11，通过湿法腐蚀，将侧壁的四乙基正硅酸酯腐蚀干净；S12，在沟槽、氧化层之上，进行多晶硅淀积、光刻、刻蚀；S13，在外延片表面自上而下依次形成N+区和P阱；S14，通过介质淀积和钨金属填充回刻，形成欧姆接触孔；S15，在钨金属和欧姆接触孔表面，沉淀金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京华瑞微集成电路有限公司 一种ONO结构的SGT MOSFET器件及其制备方法
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