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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日：2023-09-26
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN221150026U
主分类号：H01L29/08
分类号：H01L29/08;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/78
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权
摘要：本申请实施例提供了一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，由于源极沟槽中的多晶硅与栅极沟槽中的多晶硅位于不同的沟槽中，相比现有技术中的传统结构SGT，本申请实施例可以在源极沟槽中的多晶硅上增加与源极引出区金属相接的接触孔，所以可以减小电位差，并使电位更加均匀，避免因为电位差产生雪崩点，导致电流集中，从而提高器件的EAS性能。
主权项：1.一种具有高雪崩耐量的SGT芯片，其特征在于，包括：外延层、栅极沟槽和源极沟槽；所述外延层设置在衬底上，所述栅极沟槽设置源极沟槽之间，所述源极沟槽和栅极沟槽的侧壁均生长有氧化层，且在栅极沟槽和源极沟槽中均填充有多晶硅，所述源极沟槽和栅极沟槽底部延申至外延层中；所述外延层从上表面往下依次设置有第一注入区和第二注入区，所述源极沟槽的多晶硅上设置有第一源极接触孔，所述栅极沟槽和源极沟槽之间设置有第二源极接触孔，所述第二源极接触孔底部延申至第二注入区，所述栅极沟槽的多晶硅上设置有栅极接触孔，所述第一源极接触孔、第二源极接触孔和栅极接触孔中填充有金属；所述外延层、衬底和第一注入区为第一掺杂类型，所述第二注入区为第二掺杂类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种具有高雪崩耐量的SGT芯片
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