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申请/专利权人：意法半导体国际公司
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231509A
主分类号：H01L31/107
分类号：H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18
优先权：["20221220 FR FR2214005","20231214 US 18/540,625"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及一种雪崩光电二极管，包括：适于被反向偏置的主PN结；以及多个半导体区域，该多个半导体区域至少包括：第一导电类型的第一外延半导体区域；以及第二导电类型的第二半导体区域，所述第二区域被布置为至少部分地围绕第一区域，并且包括与所述第一区域的表面接触的表面。本申请还涉及制造这种光电二极管的方法。
主权项：1.一种雪崩光电二极管，包括：适于被反向偏置的主PN结；以及多个半导体区域，所述多个半导体区域至少包括：第一导电类型的第一外延半导体区域；第二导电类型的第二半导体区域，所述第二区域被布置为至少部分地围绕第一区域，并且包括与所述第一区域的表面接触的表面；以及第三半导体区域。
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