申请/专利权人:首尔伟傲世有限公司
申请日:2017-11-24
公开(公告)日:2024-06-21
公开(公告)号:CN111106216B
主分类号:H01L33/46
分类号:H01L33/46;H01L33/50;H01L33/62
优先权:["20161125 KR 10-2016-0158391","20170224 KR 10-2017-0024857"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.06.21#授权;2020.05.29#实质审查的生效;2020.05.05#公开
摘要:本发明提供一种发光二极管。所述发光二极管包括基板、包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和活性层的半导体堆叠件、光阻挡层、欧姆反射层、包括使所述第一导电型半导体层和欧姆反射层暴露的第一开口部和第二开口部的下部绝缘层、第一焊盘金属层、第二焊盘金属层、包含使所述第一焊盘金属层和第二焊盘金属层暴露的第一开口部和第二开口部的上部绝缘层、第一凸块焊盘和第二凸块焊盘,其中,所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘的上表面形成为比所述上部绝缘层的上表面更高。
主权项:1.一种发光二极管,包括:基板;半导体堆叠件,布置与所述基板的下部,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及介于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层;光阻挡层,以在所述基板的上表面限定发光面的方式覆盖所述基板的侧面;欧姆反射层,电连接于所述第二导电型半导体层;下部绝缘层,覆盖所述欧姆反射层,且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部;第一焊盘金属层,布置于所述下部绝缘层下部,且通过所述下部绝缘层的第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层;第二焊盘金属层,布置于所述下部绝缘层下部,且通过所述下部绝缘层的第二开口部电连接于所述欧姆反射层;上部绝缘层,覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层,且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部;第一凸块焊盘和第二凸块焊盘,布置于所述欧姆反射层的下部,且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接,其中,所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘的上表面形成为比所述上部绝缘层的下表面更高,其中,所述上部绝缘层延伸到所述基板的侧面与所述光阻挡层之间的一部分区域。
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