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申请/专利权人：北京一径科技有限公司
申请日：2022-12-12
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198177A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/107;H01L21/223
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要：本发明提供了一种提高雪崩光电二极管良率的方法，包括提供至少执行过一次扩散工艺的外延片，其中外延片上包括功能层；从外延片的中心到边缘划分成多个不同区域，其中，多个不同区域中的每个区域的各个位置处的扩散深度在第一误差范围内相近；在功能层上生长牺牲层，牺牲层至少包括两种不同的牺牲材料；对牺牲层进行腐蚀以形成台阶状结构，台阶状结构包括多个台阶，多个台阶从外延片的中心到边缘对应于多个不同区域；对具有台阶状结构的外延片进行扩散工艺以在牺牲层和功能层中掺入掺杂剂，在执行扩散工艺之后，功能层中掺杂剂的扩散深度基本一致；腐蚀掉剩余的牺牲层。本发明最终制作出雪崩电压一致性更好的APD，提高了APD的良率，降低了成本。
主权项：1.一种提高雪崩光电二极管良率的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供至少执行过一次扩散工艺的外延片，其中所述外延片上包括功能层；S2.从所述外延片的中心到边缘划分成多个不同区域，其中，所述多个不同区域中的每个区域的各个位置处的扩散深度在第一误差范围内相近；S3.在所述功能层上生长牺牲层，所述牺牲层至少包括两种不同的牺牲材料；S4.对所述牺牲层进行腐蚀，以形成台阶状结构，所述台阶状结构包括多个台阶，所述多个台阶从所述外延片的中心到边缘对应于所述多个不同区域；S5.对具有所述台阶状结构的所述外延片进行扩散工艺，以在所述牺牲层和所述功能层中掺入掺杂剂，在执行所述扩散工艺之后，所述功能层中所述掺杂剂的扩散深度基本一致；S6.腐蚀掉剩余的所述牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京一径科技有限公司 一种提高雪崩光电二极管良率的方法、雪崩光电二极管和激光雷达
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