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申请/专利权人：新加坡国立大学;重庆新国大研究院
申请日：2022-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244395A
主分类号：G02B5/00
分类号：G02B5/00;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种隧穿结构和光电子器件。隧穿结构包括：二维导电材料层、纳米天线阵列层以及位于二维导电材料层和纳米天线阵列层之间的纳米尺度的绝缘势垒层；其中，二维导电材料层中的二维导电材料形成有间隙的叉指结构，纳米天线阵列层中的纳米天线横跨叉指结构中的间隙。基于该隧穿结构具有二维导电材料的叉指隧穿结，因此可以实现与光学纳米天线CMOS工艺兼容，同时利用叉指结构中的电子非对称激发的方式，避免了传统隧穿结中的多模干涉效应，从而提高外量子效率，因此，这样的隧穿结构在光电子器件中具有很好的应用前景。
主权项：1.一种隧穿结构，其特征在于，包括：二维导电材料层、纳米天线阵列层以及位于所述二维导电材料层和所述纳米天线阵列层之间的纳米尺度的绝缘势垒层；其中，所述二维导电材料层中的二维导电材料形成有间隙的叉指结构，所述纳米天线阵列层中的纳米天线横跨所述叉指结构中的所述间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新加坡国立大学;重庆新国大研究院 隧穿结构和光电子器件
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