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申请/专利权人：英利能源发展有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248786A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/0352
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种低金属接触复合隧穿钝化接触太阳能电池制备方法及隧穿钝化接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括在N型硅片背面交替制备多层隧穿氧化硅层和多层磷掺杂多晶硅层，构成多叠层结构层；利用激光对磷掺杂多晶硅层上的指定区域进行热处理，去除指定区域内最外层的隧穿氧化硅层，同时保持预制备金属栅线接触区域完整的多叠层结构层。本发明制备的隧穿钝化接触太阳能电池能够适配更薄的磷掺杂多晶硅层厚度，而不会导致背面金属接触复合的上升，能够大幅度降低背面多晶硅层厚度，适用于厚度＜80nm的磷掺杂多晶硅层上的低金属接触复合，提升设备产能，减少背面多晶硅层光寄生吸收，提升电池效率。
主权项：1.一种低金属接触复合隧穿钝化接触太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在N型硅片4背面交替制备多层隧穿氧化硅层2和多层磷掺杂多晶硅层3，构成多叠层结构层；利用激光对磷掺杂多晶硅层3上的指定区域进行热处理，去除所述指定区域内最外层的隧穿氧化硅层2，同时保持预制备金属栅线6接触区域完整的多叠层结构层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英利能源发展有限公司 低金属接触复合隧穿钝化接触太阳能电池制备方法及电池
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