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申请/专利权人：英利能源发展有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248785A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/0352
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种降低金属接触复合隧穿钝化接触电池的制备方法及隧穿钝化接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括在N型硅片背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层；利用激光对N型硅片背面的磷掺杂多晶硅层指定区域进行热处理，在激光热处理区域形成一层磷掺杂氧化硅层；磷掺杂氧化硅层不接触隧穿氧化硅层。本发明制备的隧穿钝化接触太阳能电池，激光热处理形成的磷掺杂氧化硅层能够阻挡金属栅线，适用于厚度＜80nm的磷掺杂多晶硅层上的低金属接触复合，能够适配更薄的磷掺杂多晶硅层厚度，而不会导致背面金属接触复合的上升，因此能够大幅度降低背面多晶硅层厚度、提升设备产能、减少背面多晶硅层光寄生吸收、提升电池效率。
主权项：1.一种降低金属接触复合隧穿钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在N型硅片4背面制备隧穿氧化硅层2和磷掺杂多晶硅层3；利用激光对N型硅片4背面的磷掺杂多晶硅层3指定区域进行热处理，在激光热处理区域形成一层磷掺杂氧化硅层7；所述磷掺杂氧化硅层7不接触隧穿氧化硅层2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英利能源发展有限公司 降低金属接触复合隧穿钝化接触电池的制备方法及电池
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