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申请/专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日：2020-01-21
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113366083B
主分类号：C09K11/02
分类号：C09K11/02;C09K11/56;C09K11/70;C09K11/88
优先权：["20190124 US 62/796,276"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.11.17#专利申请权的转移;2022.02.15#实质审查的生效;2021.09.07#公开
摘要：本发明属于纳米结构合成领域。本发明提供了高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点，其包含纳米晶体核和至少两个薄壳层。所述纳米结构具有额外的壳层。本发明还提供了制备所述纳米结构的方法、包含所述纳米结构的膜和包含所述纳米结构的装置。
主权项：1.一种纳米结构组合物，包括：a至少一组纳米结构，所述纳米结构包括纳米晶体核和至少两个壳，其中所述纳米晶体核包含InP，以及其中至少一个壳包含ZnSe，并且至少一个壳包含ZnS；b结合到纳米结构表面的至少一种金属卤化物；和c结合到纳米结构表面的至少一种金属羧酸盐，其中所述至少一种金属卤化物选自ZnCl2和MgBr2，并且其中用于产生所述金属羧酸盐的羧酸选自2-[2-2-甲氧基乙氧基乙氧基]乙酸、2-2-甲氧基乙氧基乙酸、2-丁氧基乙氧基乙酸、2-异丁氧基乙酸、3-甲氧基丙酸、甲氧基乙酸或正丁氧基乙酸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昭荣化学工业株式会社 量子点的小分子钝化以提高量子产率
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