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申请/专利权人：信越化学工业株式会社
申请日：2020-09-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114746364B
主分类号：C01B25/08
分类号：C01B25/08;C09K11/08;C09K11/56;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00
优先权：["20191129 JP 2019-216307"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.07.29#实质审查的生效;2022.07.12#公开
摘要：本发明为一种核壳型量子点，其包含：至少包含In及P且以第III‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且以第II‑VI族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳，在所述半导体纳米晶体核与所述半导体纳米晶体壳之间，具有缓冲层，所述缓冲层包含以第II‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体。由此，本发明可提供一种将第III‑V族半导体纳米晶体用作核且荧光发光效率得到提高的量子点。
主权项：1.一种核壳型量子点的制造方法，其特征在于，包括：使至少包含In的第IIIA族元素前驱体与至少包含P的第VA族元素前驱体在溶液中反应，合成至少包含In及P且以第IIIA-VA族元素为构成元素的半导体纳米晶体核的步骤；向包含所述半导体纳米晶体核的溶液中，混合溶解有第IIB族元素前驱体的溶液与溶解有第VA族元素前驱体的溶液并使其反应，在所述半导体纳米晶体核上形成包含以第IIB-VA族元素为构成元素的半导体纳米晶体的缓冲层的步骤；及向包含形成有所述缓冲层的所述半导体纳米晶体核的溶液中，混合溶解有第IIB族元素前驱体的溶液与溶解有第VIA族元素前驱体的溶液并使其反应，在所述缓冲层上形成以第IIB-VIA族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳的步骤，在合成所述半导体纳米晶体核的步骤中，设定为下述条件：对于进行反应的第IIIA族元素前驱体与第VA族元素前驱体的化学计量比，使所述第IIIA族元素前驱体相较于所述半导体纳米晶体核中的第IIIA族元素与第VA族元素的化学计量比过量而存在，在形成所述缓冲层的步骤中，使第VA族元素前驱体与包含过剩量的所述第IIIA族元素前驱体与第IIB族元素前驱体的混合物进行反应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越化学工业株式会社 核壳型量子点及核壳型量子点的制造方法
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