首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

透明电极的制造方法以及制造装置 

申请/专利权人:株式会社东芝;东芝能源系统株式会社

申请日:2018-03-16

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN112074965B

主分类号:H10K71/60

分类号:H10K71/60;B32B15/02;B32B15/08;H10K30/82;H10K50/805;H05B33/28

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2020.12.29#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要:提供电阻小、光透射性高并且能够用简便的方法制作的透明电极的制造方法以及制造装置。提供一种制造方法、利用该制造方法的透明电极的制造装置,所述制造方法的特征在于,具有:在疏水性的聚合物膜上涂敷金属纳米线分散液的工序;将所述聚合物上的金属纳米线和导电性基板直接压接的工序;以及使所述金属纳米线层剥离,而转印到所述导电性基板的工序。

主权项:1.一种透明电极体的制造方法,包括:在疏水性的聚合物膜上直接涂敷包含金属纳米线的分散液,形成金属纳米线层的工序;在所述金属纳米线层的表面直接压接具有亲水性比所述聚合物膜高的表面的导电性基板的工序;以及使所述金属纳米线层从所述聚合物膜剥离而转印到所述导电性基板的工序,所述金属纳米线的Zeta电位低于所述聚合物膜的Zeta电位,所述方法还包括使在表面设置有所述聚合物膜的旋转鼓旋转,对所述旋转鼓的表面供给所述分散液而形成所述金属纳米线层,进而使所述金属纳米线层压接到所述导电性基板表面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 透明电极的制造方法以及制造装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。