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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265308A
主分类号：H10B63/00
分类号：H10B63/00;H10B41/20;H10B41/35;H10B43/20;H10B43/35
优先权：["20221226 KR 10-2022-0185021"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种竖直型存储器件，包括第一柱结构，在字线模制件内部的沟道孔中；以及第二柱结构，在串选择线模制件内部与沟道孔重叠的串选择线孔中。第一柱结构包括：第一栅极绝缘层和单元沟道层，在沟道孔的内壁上；可变电阻层，在单元沟道层的一侧上；第一填充绝缘层，填充沟道孔；以及连接焊盘，在第一填充绝缘层的上部中。第二柱结构包括：第二栅极绝缘层，在串选择线孔的内壁上；选择沟道层，在第二栅极绝缘层的一侧上；以及第二填充绝缘层，在选择沟道层上填充串选择线孔。
主权项：1.一种竖直型存储器件，包括：字线模制件，在衬底的至少一部分上；第一柱结构，在所述字线模制件内的沟道孔中；串选择线模制件，在所述字线模制件和所述第一柱结构上；以及第二柱结构，在所述串选择线模制件内部的串选择线孔中，所述串选择线孔在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上与所述沟道孔的至少一部分重叠，其中，所述第一柱结构包括：第一栅极绝缘层和单元沟道层，在所述沟道孔的内壁上；可变电阻层，在所述单元沟道层的一侧上，所述可变电阻层的上表面在所述沟道孔中位于比所述单元沟道层的上表面的高度低的高度处；第一填充绝缘层，在所述沟道孔中；以及连接焊盘，在所述沟道孔内部且在所述第一填充绝缘层的上部上，并且其中，所述第二柱结构包括：第二栅极绝缘层，在所述串选择线孔的内壁上；选择沟道层，在所述串选择线孔内且在所述第二栅极绝缘层的一侧上，并连接到所述连接焊盘；以及第二填充绝缘层，在所述选择沟道层上至少部分地填充所述串选择线孔。
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