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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日：2019-11-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113169048B
主分类号：H01L21/18
分类号：H01L21/18;H01L21/768;H01L23/00;H10B80/00;H10B41/27;H10B43/27;H01L23/538;H01L21/02;H01L29/786
优先权：["20190301 US 16/290,277"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开
摘要：本发明公开了一种半导体结构，该半导体结构包括接合到支撑管芯的存储器管芯。存储器管芯包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于包含单晶衬底半导体材料的衬底上方；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构延伸穿过交替堆叠并且包含相应存储器膜和包含单晶沟道半导体材料的相应竖直半导体沟道。支撑管芯包含外围电路。
主权项：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括接合到支撑管芯的存储器管芯，其中：所述存储器管芯包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于包含单晶衬底半导体材料的衬底上方；和存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠并且包括相应存储器膜和包含单晶沟道半导体材料的相应竖直半导体沟道；所述支撑管芯包括外围电路；所述单晶沟道半导体材料包括单晶硅；对于每个相应的米勒指数，具有相同米勒指数的所述单晶沟道半导体材料的晶体学取向和所述单晶衬底半导体材料的晶体学取向彼此平行；并且所述存储器管芯包括外延基座沟道，所述外延基座沟道包含与所述单晶衬底半导体材料和所述竖直半导体沟道中的上面一个竖直半导体沟道的所述单晶沟道半导体材料外延对准的相应单晶柱半导体材料；所述存储器管芯还包括漏极区，所述漏极区包含与所述竖直半导体沟道中的下面一个竖直半导体沟道的所述单晶沟道半导体材料外延对准的单晶漏极半导体材料；所述单晶沟道半导体材料和所述单晶柱半导体材料包括第一原子浓度处的第一导电类型的掺杂剂；并且所述单晶漏极半导体材料包括在大于所述第一原子浓度的第二原子浓度处与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 具有外延竖直半导体沟道的三维存储器器件及其制造方法
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