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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-03-11
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248577A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L23/544
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及半导体表征及测试技术领域，尤其是涉及一种氧化物沟道晶体管缺陷态密度测试方法及系统，制备氧化物沟道晶体管，分别在暗光和蓝光照射条件下测量晶体管的电容‑电压特性曲线，进而计算氧化物沟道晶体管深能级缺陷态密度值，本发明的测试方法主要是基于缺陷态密度在氧化物材料晶体管中的核心作用，结合光照实验现象和潜在工艺‑缺陷关联性，实现的对氧化物材料禁带内态密度的测试，相比于现有技术，具有强针对性、高易用性和高可靠性，特别是对与工艺具有强关联的深能级缺陷可实现直接表征，这是基于亚阈值摆幅的估算方法所不具备的。因此，光辅助电容‑电压测试方法为快速评价新型氧化物沟道晶体管质量及相关缺陷来源提供了检测基础。
主权项：1.一种氧化物沟道晶体管缺陷态密度测试方法，其特征在于，包括以下步骤：制备氧化物沟道晶体管，分别在暗光和蓝光照射条件下测量晶体管的电容-电压特性曲线，并通过以下公式计算缺陷态密度： 其中，ndefect为缺陷态密度，单位为cm3；e为基础电荷，1.6×10-19库伦；tchannel为沟道厚度，单位为cm；W为沟道长度，单位为cm；L为沟道宽度，单位为cm；V1至V2为电压测定范围值；CLV为蓝光照射下测得的电容值，单位为Fcm2；CDV为暗光下测得的电容值，单位为Fcm2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种氧化物沟道晶体管缺陷态密度测试方法及系统
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