首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法 

申请/专利权人:北京航天雷特机电工程有限公司;北京航天试验技术研究所

申请日:2024-05-07

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118254437A

主分类号:B32B27/02

分类号:B32B27/02;B32B27/34;B32B27/32;B32B27/12;B32B27/08;B32B27/06;B32B7/02;B32B5/12;B32B38/00;B32B38/08;F41H1/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明公开了一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法,属于防刺材料领域。本发明采用不同面密度的芳纶无纬布,通过控制纤维和胶黏剂用量实现面密度的调整,其中低面密度芳纶无纬布范围在220~240g㎡,高面密度芳纶无纬布范围在340~550g㎡;所述多层级面密度轻型防刺芯片的结构为:自迎刺面至贴身面由低面密度芳纶无纬布依次层叠至高面密度芳纶无纬布。本发明通过将不同面密度的芳纶无纬布进行结构设计,将高面密度芳纶无纬布与低面密度芳纶无纬布进行组合,提升防刺芯片的防刺性能,从而减少防刺芯片层数,降低防刺芯片重量,实现减重的目的,同时有效地提高芳纶无纬布防刺芯片的防刺性能。

主权项:1.一种多层级面密度轻型防刺芯片结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:通过控制纤维及胶黏剂用量织造不同面密度的芳纶无纬布,其中,低面密度芳纶无纬布的纤维占比为75~79%,胶黏剂占比为25~21%;高面密度芳纶无纬布的纤维占比为80~85%,胶黏剂占比为15~20%;S2:将织造好的芳纶无纬布经热压处理后得到防刺布,其中,低面密度芳纶无纬布经15min热压处理,得到面密度范围在220~240g㎡的低面密度防刺无纬布;高面密度芳纶无纬布经20min~25min热压处理,得到面密度范围在340~550g㎡的高面密度防刺无纬布;S3:将不同面密度的防刺布按自迎刺面至贴身面为多层低面密度防刺无纬布到多层高密度防刺无纬布的层叠顺序层叠,并与缓冲层材料叠加形成防刺芯片,所述防刺芯片的面密度范围为5.38~5.50kg㎡。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京航天雷特机电工程有限公司;北京航天试验技术研究所 一种多层级面密度轻型防刺芯片结构及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。