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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
申请日：2024-05-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263310A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及氮化镓场效应晶体管技术领域，提供一种双沟道氮化镓场效应晶体管、电路及性能调节方法，包括：外延层结构，包括第一二维电子气以及第二二维电子气；栅极结构，设置于外延层结构上，栅极结构包括沟槽部以及栅极肩部；漏极件以及源极件，漏极件以及源极件均设置于外延层结构上，漏极件包括漏极主体以及漏极延伸部，源极件包括源极主体以及源极延伸部；漏极主体与源极主体之间通过第一二维电子气形成的第一沟道导通；漏极延伸部与源极延伸部之间通过第二二维电子气形成的第二沟道导通。利用第一二维电子气以及第二二维电子气形成的双沟道令漏极件与源极件之间导通，双沟道的结构减小漏极件与源极件之间的导通电阻提高和优化晶体管性能。
主权项：1.一种双沟道氮化镓场效应晶体管，其特征在于，包括：外延层结构，包括由下至上层叠的第一氮化镓层、第一氮化铝镓层、第二氮化镓层以及第二氮化铝镓层，所述第一氮化铝镓层与所述第一氮化镓层之间形成第一二维电子气，所述第二氮化铝镓层与所述第二氮化镓层之间形成第二二维电子气；栅极结构，设置于所述外延层结构上，所述栅极结构包括沟槽部以及栅极肩部，所述沟槽部用于控制所述第一二维电子气，所述栅极肩部用于控制所述第二二维电子气；漏极件以及源极件，所述漏极件以及所述源极件均设置于所述外延层结构上，所述漏极件包括漏极主体以及漏极延伸部，所述源极件包括源极主体以及源极延伸部；所述漏极主体与所述源极主体之间通过所述第一二维电子气形成的第一沟道导通；所述漏极延伸部与所述源极延伸部之间通过所述第二二维电子气形成的第二沟道导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 一种双沟道氮化镓场效应晶体管、电路及性能调节方法
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