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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118250996A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00;H01L27/088;H01L29/10
优先权：["20221223 KR 10-2022-0183222"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明构思提供了包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置，该存储装置包括：在衬底上的读取字线、沿垂直于衬底的上表面的平面延伸的第一沟道、平行地面对第一沟道的第二沟道、在第一沟道和第二沟道之间与第一沟道相邻的第一栅极绝缘层、在第一沟道和第二沟道之间与第二沟道相邻的第二栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第一栅极绝缘层相邻的栅电极、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第二栅极绝缘层相邻的写入字线、电连接到第一沟道的读取位线、以及电连接到第二沟道的写入位线。
主权项：1.一种存储装置，包括：衬底；在所述衬底上的读取字线；第一沟道，电连接到所述读取字线，并沿垂直于所述衬底的上表面的平面延伸；第二沟道，平行地面对所述第一沟道；第一栅极绝缘层，在所述第一沟道和所述第二沟道之间与所述第一沟道相邻；第二栅极绝缘层，在所述第一沟道和所述第二沟道之间与所述第二沟道相邻；栅电极，在所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间与所述第一栅极绝缘层相邻；写入字线，在所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间与所述第二栅极绝缘层相邻；电连接到所述第一沟道的读取位线；以及电连接到所述第二沟道的写入位线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置
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