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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-10-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265301A
主分类号：H10B43/20
分类号：H10B43/20;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50
优先权：["20221228 KR 10-2022-0187760"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种非易失性存储器件，包括存储单元区域和外围电路区域，存储单元区域包括：多条位线，多条位线中的每条位线沿第一方向延伸；以及多个上接合焊盘，外围电路区域包括：页缓冲器电路；多个下接合焊盘，设置在页缓冲器电路上方并且多个下接合焊盘中的每个下接合焊盘连接到多个上接合焊盘中的相应的上接合焊盘；以及多条贯通布线，多条贯通布线中的每条贯通布线沿第一方向延伸。多个下接合焊盘包括：第一下接合焊盘，设置在沿第一方向延伸的第一线中；以及第二下接合焊盘，设置在沿第一方向延伸的第二线中。多条贯通布线包括至少一条第一贯通布线，该至少一条第一贯通布线在第一线和第二线之间延伸，并且延伸跨过页缓冲器电路。
主权项：1.一种非易失性存储器件，包括：存储单元区域，包括：多条位线，所述多条位线中的每条位线沿第一方向延伸；以及多个上接合焊盘，分别连接到所述多条位线；以及外围电路区域，包括：页缓冲器电路；多个下接合焊盘，设置在所述页缓冲器电路上方，并且分别连接到所述多个上接合焊盘；以及多条贯通布线，沿所述第一方向延伸，其中，所述多个下接合焊盘包括：第一下接合焊盘，布置在沿所述第一方向延伸的第一线中，所述第一下接合焊盘包括在第一接合焊盘组中；以及第二下接合焊盘，布置在沿所述第一方向延伸的第二线中，所述第二下接合焊盘包括在第二接合焊盘组中，并且其中，所述多条贯通布线包括至少一条第一贯通布线，所述至少一条第一贯通布线在所述第一线和所述第二线之间延伸，并且跨过所述页缓冲器电路。
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