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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-09-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118262777A
主分类号：G11C29/30
分类号：G11C29/30;G11C29/08;G11C7/06;G11C7/08;G11C11/408;G11C11/4094
优先权：["20221227 KR 10-2022-0186347"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：提供了一种用于提高可靠性的易失性存储器装置和操作其的方法。所述易失性存储器装置包括电结合到多条字线和多条位线的存储器单元阵列以及电结合到多条位线的位线感测放大器。提供了控制逻辑，控制：存储器单元阵列内的以第一周期彼此间隔开的连续的自刷新操作、将虚设数据存储在存储器单元阵列内、存储器单元阵列内的以大于第一周期的第二周期彼此间隔开的连续的测试刷新操作、以及使用位线感测放大器对阵列内的选择的存储器单元执行测试感测操作。提供了劣化检测电路，从位线感测放大器接收与选择的存储器单元相关联的感测结果，并且基于感测结果输出具有与选择的存储器单元之中的劣化存储器单元的数量成比例的大小的多位计数电流。
主权项：1.一种易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列，电结合到多条字线和多条位线；位线感测放大器，电结合到所述多条位线；控制逻辑，电结合到位线感测放大器，所述控制逻辑被配置为控制：存储器单元阵列内的以第一周期彼此间隔开的连续的自刷新操作、在预测存储器单元阵列中的存储器单元的预期寿命的操作期间将虚设数据存储在存储器单元阵列内、存储器单元阵列内的以大于第一周期的第二周期彼此间隔开的连续的测试刷新操作、以及使用位线感测放大器对存储器单元阵列内的多个选择的存储器单元执行测试感测操作；以及劣化检测电路，被配置为：从位线感测放大器接收与所述多个选择的存储器单元相关联的感测结果，并基于感测结果来输出具有与所述多个选择的存储器单元之中的劣化存储器单元的数量成比例的大小的多位计数电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 用于提高可靠性的易失性存储器装置和操作其的方法
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