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申请/专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日：2024-02-27
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248777A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种钝化接触结构叠层膜、其制备方法及TOPCon电池，包括以下步骤：A在硅片背面形成预处理氧化层；B通过PECVD沉积隧穿氧化层，隧穿氧化层具有n个子膜，n个子膜沉积的等离子功率随沉积时间呈梯度增加；C通过PECVD沉积掺杂的非晶硅层，得到叠层膜中间体，掺杂的非晶硅层的掺杂浓度随沉积时间呈梯度变化；D对叠层膜中间体进行梯度退火晶化，得到钝化接触结构叠层膜。本发明不仅可以提高了隧穿氧化层的化学钝化性及精密性；避免本征Poly层在退火时氢溢出导致的爆膜现象；还通过在梯度升温退火处理减少因各工位退火温度不足致使的片内片间晶化差，提高量产良率。
主权项：1.一种钝化接触结构叠层膜的制备方法，包括以下步骤：A在硅片背面进行氧化预处理，形成预处理氧化层；B通过PECVD在所述预处理氧化层表面沉积隧穿氧化层，所述隧穿氧化层包括n个叠层的子膜，n个子膜沉积的等离子功率随沉积时间呈梯度增加，且沉积在所述预处理氧化层表面的第1个子膜的等离子功率为1kW～12kW；n为≥2的整数；C通过PECVD在所述隧穿氧化层表面沉积掺杂的非晶硅层，得到叠层膜中间体，所述掺杂的非晶硅层的掺杂浓度随沉积时间呈梯度变化；D对所述叠层膜中间体进行退火晶化，得到钝化接触结构叠层膜；所述退火温度为800～1100℃，采用梯度升温。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种钝化接触结构叠层膜、其制备方法及TOPCon电池
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