申请/专利权人：广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司

申请日：2021-08-12

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN113782618B

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开

摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种单面PERC电池及其钝化层的制作方法。单面PERC电池包括依次层叠的：电池基片、氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜。如此，通过依次层叠于电池基片的氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化硅膜，形成单面PERC电池背面的钝化层，可以提高单面PERC电池的背面内反射，提高光电转换效率，并改善PID。

主权项：1.一种单面PERC电池的钝化层的制作方法，其特征在于，包括：在镀膜设备中通入TMA和N2O，在待沉积钝化层的电池基片上沉积氧化铝膜；其中，TMA的流量范围为60sccm-200sccm，N2O的流量范围为3slm-10slm，镀膜总时间的范围为50s-150s，所述氧化铝膜的厚度范围为13nm-20nm；按1:5-15的比例在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，在所述氧化铝膜上沉积氮化硅膜；其中，SiH4的流量范围为600sccm-1500sccm，NH3的流量范围为3slm-12slm，镀膜总时间的范围为358s-600s，所述氮化硅膜的厚度为80nm-120nm，折射率范围为2.26-2.3；按1:3-10:10-20的比例在所述镀膜设备中通入SiH4、NH3和N2O，在所述氮化硅膜上沉积氮氧化硅膜；其中，SiH4的流量范围为200sccm-600sccm，NH3的流量范围为0.6slm-6slm，N2O的流量范围为2slm-9slm，镀膜总时间的范围为100s-150s，所述氮氧化硅膜的厚度范围为19nm-30nm，折射率范围为1.8-1.88；按1:13-20的比例在所述镀膜设备中通入SiH4和N2O，在所述氮氧化硅膜上沉积氧化硅膜；其中，SiH4的流量范围为200sccm-800sccm，N2O的流量范围为3slm-10slm，镀膜总时间的范围为52s-88s，所述氧化硅的厚度范围为17nm-20nm，折射率范围为1.52-1.59。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 单面PERC电池及其钝化层的制作方法

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