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申请/专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231521A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/40;C23C16/50
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明属于光伏电池技术领域，提供一种制备光伏电池富正电SiOx隧穿层的方法及光伏电池制备工艺。该方法是在硅基体的背面制备具有杂原子掺杂的SiOx隧穿层，来使杂原子掺杂的SiOx隧穿层富正电性；其包括：调控沉积设备的装载腔内的压力和沉积功率；使硅基体在大气环境下进入装载腔，升温装载腔的腔体；腔体温度稳定后，通入SiH4、N2O及杂原子金属盐前驱体，以在硅基体的背面沉积杂原子掺杂的富正电SiOx隧穿层；杂原子为Ga、Ge、Sn及Sb中的至少一种。该方法使制得的杂原子掺杂的SiOx隧穿层的结构更稳定、且更富正电性，能增强场钝化效果，增加界面处少数载流子寿命，阻挡多晶硅层中掺杂磷原子向硅基体扩散，同时能钝化晶体硅表面悬挂键，提升电池转换效率。
主权项：1.一种制备光伏电池富正电SiOx隧穿层的方法，其特征在于，其是在硅基体的背面制备具有杂原子掺杂的SiOx隧穿层，来使杂原子掺杂的SiOx隧穿层富正电性；其包括如下制备步骤：步骤1、调控好沉积设备的装载腔内的压力和沉积功率；步骤2、使硅基体在大气环境下进入沉积设备的装载腔，升温装载腔的腔体；步骤3、待装载腔的腔体温度稳定后，通入SiH4、氧化气氛及杂原子金属盐前驱体，以在硅基体的背面沉积杂原子掺杂的富正电SiOx隧穿层；其中，所述氧化气氛为N2O、臭氧或氧气中的任意一种；所述杂原子为Ga、Ge、Sn及Sb中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰州中来光电科技有限公司 制备光伏电池富正电SiOx隧穿层的方法及光伏电池制备工艺
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