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申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日：2021-07-13
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113725076B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开
摘要：本发明提供的一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法，采用超薄高功函数介质层在氢终端金刚石表面形成超高浓度的空穴层，然后淀积一层金属，利用隧穿原理形成欧姆接触，极大降低欧姆接触电阻。本发明可以兼容现有工艺，操作简单成本低，不需要额外工艺设备，应用前景良好。
主权项：1.一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法，其特征在于，包括：选择CVD外延的氢终端金刚石作为衬底；将所述衬底依次在丙酮、酒精、去离子水中进行清洗；将清洗完成的衬底进行氢等离子体表面处理，形成氢终端金刚石；在所述氢终端金刚石上沉积一层0.5-1.0nm的高功函数介质，以使所述高功函数介质在所述氢终端金刚石表面形成高浓度空穴层；所述高功函数介质为MoO3、WO3或V2O5；在沉积高功函数介质的氢终端金刚石表面沉积一层金属层，以使所述金属层、高浓度空穴层与氢终端金刚石形成低欧姆接触电阻；对沉积后的氢终端金刚石进行退火处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学芜湖研究院 一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法
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