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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248756A
主分类号：H01L31/048
分类号：H01L31/048;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/30;C23C16/34;H01L31/18;H01L31/0224
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种钝化薄膜结构及其制备方法。钝化薄膜结构及其制备方法包括如下步骤：在硅衬底的至少一个表面制备透明导电氧化物薄膜层；在所述透明导电氧化物薄膜层上制备SiOxNy薄膜层；以及采用PECVD工艺在所述SiOxNy薄膜层上制备SiNx薄膜层，其中，PECVD工艺中，沉积温度350℃~550℃，工艺气体包括NH3以及SiH4，NH3流量2000sccm~5000sccm，SiH4流量为600sccm~1500sccm，沉积压力1300pa~2500pa。本发明能够实现在不影响钝化薄膜结构中H原子含量的同时，具有更佳的减反射效果。
主权项：1.一种钝化薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅衬底的至少一个表面制备透明导电氧化物薄膜层；在所述透明导电氧化物薄膜层上制备SiOxNy薄膜层；以及采用PECVD工艺在所述SiOxNy薄膜层上制备SiNx薄膜层，其中，PECVD工艺中，沉积温度350℃~550℃，工艺气体包括NH3以及SiH4，NH3流量2000sccm~5000sccm，SiH4流量为600sccm~1500sccm，沉积压力1300pa~2500pa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 钝化薄膜结构和太阳电池
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