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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN117954509B
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本申请公开了一种背接触太阳能电池的制备方法、太阳能电池及电池组件，属于太阳能电池技术领域。制备方法包括：在半导体衬底的背光面依次形成第一功能层和绝缘层，半导体衬底的背光面为抛光面；对半导体衬底与背光面相对的受光面进行制绒；在半导体衬底制绒后的受光面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和减反层；对第一功能层和绝缘层进行图案化；在图案化后的第一功能层远离半导体衬底的一侧形成第二功能层；在第一功能层和第二功能层远离半导体衬底的一侧形成电极结构。通过同步完成受光面的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层制备和背光面全抛光，电池具有更好的钝化接触性能，降低了UV衰减，还具备较高的开路电压和光电转换效率，且简化了工艺。
主权项：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的背光面依次形成第一功能层和绝缘层，所述半导体衬底的背光面为抛光面，所述第一功能层完全覆盖所述背光面，所述绝缘层完全覆盖所述第一功能层；对所述半导体衬底与所述背光面相对的受光面进行制绒；在所述半导体衬底制绒后的受光面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和减反层；对所述第一功能层和所述绝缘层进行图案化，图案化后的所述第一功能层形成第一开口，所述第一开口暴露出的所述半导体衬底的背光面；在图案化后的所述第一功能层远离所述半导体衬底的一侧形成第二功能层；在所述第一功能层和所述第二功能层远离所述半导体衬底的一侧形成电极结构；所述在所述第一功能层和所述第二功能层远离所述半导体衬底的一侧形成电极结构，包括：在所述第二功能层形成第二开口，所述第二开口暴露图案化后的所述第一功能层；在所述第二功能层远离所述半导体衬底的一侧形成导电层；在所述导电层形成第三开口，以截断所述导电层，所述第三开口位于所述第一开口和所述第二开口之间；在所述导电层远离所述半导体衬底的一侧形成第一电极和第二电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 背接触太阳能电池的制备方法、太阳能电池及电池组件
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