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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-05-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263339A
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法，该太阳能电池，包括：硅基底，具有内扩层；隧穿层和钝化接触层，依次设置在内扩层上，钝化接触层包括在第一方向上交替分布的第一部和第二部，第一部的厚度小于第二部的厚度，第一部覆盖的内扩层的厚度大于第二部覆盖的内扩层的厚度；以及电极，与第二部接触，其中，第一方向与硅基底的厚度方向相交。本申请的太阳能电池和制造方法中的钝化接触层具有厚度较小的第一部和厚度较大的第二部，且内扩层中具有厚度较大且掺杂浓度较高的第一内扩区和厚度较小且掺杂浓度较低的第二内扩区，如此可以兼顾对载流子的收集效果和钝化接触层对电池的表面钝化效果。
主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，具有内扩层；隧穿层和钝化接触层，依次设置在所述内扩层上，所述钝化接触层包括在第一方向上交替分布的第一部和第二部，所述第一部的厚度小于所述第二部的厚度，所述第一部覆盖的内扩层的厚度大于所述第二部覆盖的内扩层的厚度；以及电极，与所述第二部接触，其中，所述第一方向与所述硅基底的厚度方向相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法
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