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申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日：2023-10-10
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248764A
主分类号：H01L31/107
分类号：H01L31/107;H01L31/18;H01L31/0352
优先权：["20221222 US 18/145258"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种光电二极管器件可以包括半导体衬底、设置在半导体衬底中并具有第一宽度的倍增层、设置在倍增层上的介电层、与倍增层耦接并具有第二宽度的电荷层以及设置在电荷层上并具有第三宽度的吸收层。电荷层的第二宽度可以小于倍增层的第一宽度，并且吸收层的第三宽度大于电荷层的第二宽度。
主权项：1.一种光电二极管器件，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底中并具有第一宽度的倍增层；设置在所述倍增层上的介电层；与所述倍增层耦接并具有第二宽度的电荷层，所述第二宽度小于所述倍增层的所述第一宽度；以及设置在所述电荷层上并具有第三宽度的吸收层，所述第三宽度大于所述电荷层的所述第二宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 光电二极管器件、光电检测器和形成光电二极管器件的方法
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