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申请/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日：2020-02-21
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113491044B
主分类号：H01S5/022
分类号：H01S5/022;G02B27/42;H01S5/183
优先权：["20190227 DE 102019104986.5"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.08#公开
摘要：在一个实施方式中，光电半导体构件1包括用于发射辐射的光电半导体芯片2。光学元件3布置在半导体芯片2的下游。半导体芯片2和光学元件3嵌入封装体4中。光学元件3具有结构化的、连续的光学有效面31、32，光学有效面在光学元件3的内部中直接位于光学对比区域33处，优选位于抽真空的或气体填充的空腔处。光学有效面31、32完全遮盖半导体芯片2的辐射出射面20。
主权项：1.一种光电半导体构件（1），具有-用于发射辐射的光电半导体芯片（2），-光学元件（3），所述光学元件在光学上布置在所述半导体芯片（2）的下游，和-封装体（4），所述半导体芯片（2）和所述光学元件（3）嵌入所述封装体中，其中-所述光学元件（3）具有结构化的、连续的光学有效面（31），所述光学有效面在所述光学元件（3）的内部中直接位于光学对比区域（33）处，从而在所述光学有效面（31）与所述光学对比区域（33）之间存在至少0.4的折射率突变，-所述光学有效面（31）完全遮盖所述半导体芯片（2）的辐射出射面（20），和-所述封装体（4）和所述光学元件（3）在远离所述半导体芯片（2）的方向上彼此齐平封闭，从而所述光学元件（3）在光出射侧（30）处没有所述封装体（4）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 光电半导体构件和制造光电半导体构件的方法
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