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申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263135A
主分类号：H01L21/56
分类号：H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/29;H01L23/488;H01L25/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种光电封装结构的制备方法，通过对玻璃基板的加工可制备透明的玻璃凸起部，在将玻璃基板与光电基底结构键合后，可将光电基底结构中的光口封盖住，从而在进行金属凸块的制备过程中，可有效避免光口污染，且可避免遮光，以制备高性能的光电封装结构。
主权项：1.一种光电封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供光电基底结构，所述光电基底结构包括支撑衬底、位于所述支撑衬底上的介质层、贯穿所述介质层的光口与金属连接件，以及覆盖所述光口及金属连接件的保护层；提供玻璃基板，图形化所述玻璃基板形成玻璃凸起部，且所述玻璃凸起部与所述光口对应设置；将所述玻璃基板与所述光电基底结构键合，且所述玻璃凸起部覆盖所述光口；减薄所述玻璃基板，预留所述玻璃凸起部；采用光刻法形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包覆所述玻璃凸起部，且显露位于所述金属连接件上方的所述保护层；去除相应部分所述保护层，显露所述金属连接件；去除所述第一光刻胶层；形成种子层；采用光刻法形成图形化的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述种子层，且显露位于所述金属连接件上方的所述种子层；采用电镀法，于显露的所述种子层上形成金属凸块；去除所述第二光刻胶层；去除显露的所述种子层，并进行回流焊工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 光电封装结构的制备方法
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